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SQD50034E_GE3-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能和稳定性，适用于多种高效能场景。其主要参数包括：漏极电流ID为130A，漏源电压VDSS为60V，导通电阻RDON低至3mΩ，栅源电压VGS为20V。低导通电阻有效降低功耗并提升效率，同时高电流与高电压耐受能力确保其在复杂环境中的可靠性表现。该器件广泛应用于电源管理、高效能转换器及负载开关等电路设计中，满足对小型化与高性能有要求的电路架构需求。
- 商品型号
- SQD50034E_GE3-HXY
- 商品编号
- C48972055
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.386克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 140W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 66.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.666nF |
商品概述
DMTH6004SK3Q - 13采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 130 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 3.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流电源
- 同步整流应用
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