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STW70N65DM6-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具备高电压和大电流承载能力，适用于多种高效功率管理系统。其漏源耐压VDSS为650V，最大连续漏极电流ID达49A，导通电阻RDON仅为33mΩ，有助于降低功耗并提升整体效率。器件采用优化的结构设计，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高性能电源、通信设备、计算平台以及新能源技术中的开关控制与电能转换应用。
- 商品型号
- STW70N65DM6-HXY
- 商品编号
- C48972066
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.23克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
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