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SCT3030KLHRC11-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备63A的最大漏极电流承载能力，导通电阻（RDON）低至32mΩ，支持高效大功率电力传输。器件基于碳化硅材料设计，具有优异的高温稳定性与高频开关特性，适用于高效率电源变换、光伏逆变系统、储能装置以及高性能电机控制等场景，在要求严苛的电气环境中提供可靠的能量管理解决方案。
- 商品型号
- SCT3030KLHRC11-HXY
- 商品编号
- C48972089
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |