温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SCT3080KLHRC11-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有出色的导电能力和高效的开关特性。其最大连续漏极电流可达36A，导通电阻仅为80mΩ，能够在高电压和大电流环境下稳定运行。碳化硅材料的使用有效降低了开关损耗，提高了器件在高温、高压条件下的可靠性。适用于新一代高效电源系统、能源转换装置及高性能电子设备中的功率控制单元。
- 商品型号
- SCT3080KLHRC11-HXY
- 商品编号
- C48972200
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.356667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |
其他推荐
- HN-DC1214-0.45(10-0.6)M
- HN-DC1216-0.45(12-1.2)MDR
- HN-DC1216-0.45(12-2.4)M
- HN-DC1216-0.45(12-2.8)
- HN-DC1216-0.45(12-2.8)M
- HN-DC1216-0.45(8-2.8)M
- HN-DC1410-0.5(5-2)
- HN-DC1611-0.45(6-2)
- HN-DC1611-0.45(7.1-0.6)
- HN-DC1614-0.45(5-1.5)
- HN-DC1615-0.5(7-0.5)
- HN-DC1616-0.45(12-3.4)M
- HN-DC1616-0.45(13-1)
- HN-DC1616-0.45(5.5-1.3)
- HN-DC1616-0.45(8.5-1.55)M
- HN-DC1616-0.45(8.5-4.5)
- HN-DC1616-0.45(8-1.2)
- HN-DC1616-0.45(8-1.5)-T0.8
- HN-DC1616-0.45(8-2.5)M
- HN-DC2014-0.7(11.4-1.2)-T0.9
- HN-DC2016-0.5(12-3.4)