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IRF7389TRPBF-HXY
双N+P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N+P沟道场效应管（MOSFET），具备7A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中功率电源管理与转换场景。导通电阻（RDON）低至25mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。器件采用复合沟道设计，在兼顾性能的同时提升了开关稳定性，适合用于电源适配器、充电设备、DC-DC转换模块及各类便携式电子设备中的功率控制电路。
- 商品型号
- IRF7389TRPBF-HXY
- 商品编号
- C48972101
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.130612克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V；12.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.349nF；4.024nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 96pF；59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 84pF；132pF |
商品概述
IRF7389TRPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 7A
- 当VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ
- VDS = -60V,ID = -8A
- 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 29mΩ
应用领域
-无线充电-升压驱动器-无刷电机
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