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SIR106DP-T1-RE3-HXY
耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ。该器件适用于多种功率控制场合，如高效电源转换、电机控制、负载开关及电池管理系统等。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。同时具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于对性能和可靠性有较高要求的电路设计中。
- 商品型号
- SIR106DP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C48972119
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
SIR106DP-T1-RE3采用先进的SGT MOSFET技术,提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更好的耐用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V
- 漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 7.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用
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