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SIR106DP-T1-RE3-HXY
耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流ID为80A，漏源耐压VDSS为100V，导通电阻RDON低至6.4mΩ。该器件适用于多种功率控制场合，如高效电源转换、电机控制、负载开关及电池管理系统等。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统整体效率。同时具备良好的热稳定性和快速开关响应特性，适合用于对性能和可靠性有较高要求的电路设计中。
- 商品型号
- SIR106DP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C48972119
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.146克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF |
商品概述
BUK7208-40B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V，ID = 60 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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