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SI4413CDY-T1-GE3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），支持最大11A的连续漏极电流（ID），在导通状态下，其导通电阻（RDON）低至13毫欧，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件适用于需要高效能、小体积功率开关的场合，例如电源管理模块、电池供电设备以及各类通用电子控制系统中的电能转换和调节电路。
- 商品型号
- SI4413CDY-T1-GE3-HXY
- 商品编号
- C48972130
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
SI4413CDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V ID = -11A
- RDS(ON)< 16 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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