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SI4413CDY-T1-GE3-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源击穿电压（VDSS），支持最大11A的连续漏极电流（ID），在导通状态下，其导通电阻（RDON）低至13毫欧，有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件适用于需要高效能、小体积功率开关的场合，例如电源管理模块、电池供电设备以及各类通用电子控制系统中的电能转换和调节电路。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4413CDY-T1-GE3-HXY
商品编号: C48972130
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.126克(g)

商品参数

SI4413CDY-T1-GE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。