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SQD100N03-3M4_GE3-HXY

N沟道耐压:30V 电流:120A

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）与120A的最大漏极电流（ID），适用于较高电流负载的电路应用场景。其导通电阻（RDON）低至3毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。器件基于高密度沟槽工艺设计，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及高性能电子设备中。优异的电气性能和可靠性可满足多种通用型电路设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SQD100N03-3M4_GE3-HXY
商品编号: C48972143
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.385859克(g)

商品参数

SQ4435EY-T1_BE3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。