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SQD100N03-3M4_GE3-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备30V的漏源击穿电压（VDSS）与120A的最大漏极电流（ID），适用于较高电流负载的电路应用场景。其导通电阻（RDON）低至3毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体效率。器件基于高密度沟槽工艺设计，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于电源转换、开关控制、电池管理系统及高性能电子设备中。优异的电气性能和可靠性可满足多种通用型电路设计需求。
- 商品型号
- SQD100N03-3M4_GE3-HXY
- 商品编号
- C48972143
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385859克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.485nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 850pF |
商品概述
SQD100N03-3M4GE3采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 120A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 3.8mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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