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NTA4151PT1G-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID为0.66A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件适用于低电压电源管理及信号切换电路，具备良好的开关特性和稳定性。由于其较低的工作电压特性，适合用于便携式电子设备、逻辑控制电路以及各类小型化应用中，有助于实现电路的高效运行与简化设计。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: NTA4151PT1G-HXY
商品编号: C48972155
商品封装: SOT-523
包装方式: 编带
商品毛重: 0.022105克(g)

商品参数

DMT4008LFV - 7采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。