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DMTH48M3SFVWQ-7-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为40V，满足中高功率应用场景需求。导通电阻RDON低至6.9mΩ，可显著降低导通损耗，提升整体系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性与开关特性，适用于电源转换、电机控制、储能系统及各类高效能电子设备中的开关与调节电路。
- 商品型号
- DMTH48M3SFVWQ-7-HXY
- 商品编号
- C48972164
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
IPD50N04S4-08采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 60 A
- RDS(ON) < 10 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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