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PXN017-30QLJ-HXY
耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：漏极电流ID可达20A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON典型值为15mΩ。该器件适用于各类电源转换电路、高效能同步整流系统、电机驱动模块以及便携式高功率电子设备。其低导通电阻和优异的开关特性有助于降低能量损耗，提高电路运行效率。同时具备良好的热稳定性和耐压能力，适合用于对可靠性与性能有一定要求的中高功率场景。
- 商品型号
- PXN017-30QLJ-HXY
- 商品编号
- C48972177
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
AON7406采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 20A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 20mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源