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E3M0060065D-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有29A的最大漏极电流能力，导通状态下典型电阻值为60mΩ。碳化硅材料的使用显著提升了器件在高压与高频条件下的工作效率和热稳定性。该器件适用于高效电源转换系统、可再生能源逆变装置、储能系统的功率调节模块以及精密电机驱动电路，能够满足对能效表现和运行可靠性有较高要求的多样化应用场景。
- 商品型号
- E3M0060065D-HXY
- 商品编号
- C48972198
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |