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UJ3C120080K3S-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为1200V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，连续漏极电流可达36A，导通电阻低至80mΩ，适用于高效率、高频率的功率变换场景。碳化硅材料的采用显著降低了开关损耗，提升了器件在高压和高温环境下的稳定性与可靠性。该器件广泛应用于能源、通信及智能设备中的电源转换模块，支持高效能与紧凑型设计需求。
- 商品型号
- UJ3C120080K3S-HXY
- 商品编号
- C48972199
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.38克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |
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