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2SK3377-ZK-E1-AY-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有20A连续漏极电流（ID）和60V漏源耐压（VDSS），适用于多种中高功率应用场景。导通电阻（RDON）低至27mΩ，可有效减少导通损耗，提高整体效率。器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源转换、电机驱动、开关电路及各类电子设备中的功率控制部分。
- 商品型号
- 2SK3377-ZK-E1-AY-HXY
- 商品编号
- C48972183
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
2SK3377-ZK-E1-AY采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 20 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 32 mΩ
- N沟道MOSFET
应用领域
-电池保护-负载开关-不间断电源