温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTHL045N065SC1-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。其最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDON仅为33mΩ，可实现高效、低损耗的电力传输。碳化硅材料的应用提升了器件在高频与高温环境下的稳定性与可靠性。该MOSFET适用于电源转换装置、新能源发电系统、储能设备以及精密电子控制模块等场景，满足对功率密度和能效有较高要求的应用需求。
- 商品型号
- NTHL045N065SC1-HXY
- 商品编号
- C48972194
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |