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DMWS120H100SM4-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有优异的导电能力和高效的开关特性。其额定漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。碳化硅材料赋予器件高击穿电压与良好的高温工作性能，适用于高频、高压电源转换场合，如新能源发电、储能设备及智能电力系统中的关键开关单元。
- 商品型号
- DMWS120H100SM4-HXY
- 商品编号
- C48972196
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |