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SC060N065T8L-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET 停产
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- 描述
- 本产品为650V N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性，典型导通电阻（RDON）为60mΩ，最大漏极电流（ID）可达29A。采用碳化硅材料，提升了器件的开关性能与热稳定性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。可广泛用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制电路中，满足对效率与功率密度有较高要求的应用需求。
- 商品型号
- SC060N065T8L-HXY
- 商品编号
- C48972197
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.493333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 80pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ |