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MSC080SMA120B4-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，可实现高效、低损耗的功率转换。器件采用宽禁带半导体材料，具有高击穿电压和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率电源系统设计，如光伏逆变器、储能系统及智能电网相关设备中的功率开关应用。
- 商品型号
- MSC080SMA120B4-HXY
- 商品编号
- C48972195
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.593333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 32A | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.39nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ |