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MSC750SMA170SA-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）采用宽禁带半导体材料，具备出色的高温与高频率工作性能。其主要参数包括：漏极电流ID为6A，漏源电压VDSS高达1700V，导通电阻RDON为700mΩ。高耐压特性使其适用于高压电源转换和功率开关电路，在高频应用中表现出优异的效率与稳定性。该器件适合用于高性能电源、新能源系统以及精密电子设备中的功率控制单元，满足对可靠性与能效有较高要求的电路设计需求。
- 商品型号
- MSC750SMA170SA-HXY
- 商品编号
- C48972191
- 商品封装
- TO-263-7L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.322克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.5nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 285pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 15.3pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 910mΩ |