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IMW65R030M1HXKSA1-HXY
碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有优异的导电性能与高效的开关特性。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS最高支持650V，导通电阻RDON低至33mΩ，适用于高频率、高效率的电力转换场景。该器件基于碳化硅材料，具备良好的热稳定性和耐高压能力，适合用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制等领域的功率管理应用。
- 商品型号
- IMW65R030M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C48972193
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.116667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 耗散功率(Pd) | 242W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.823nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ |
商品特性
- 第三代SiC MOSFET技术
- 优化的封装，带有独立的驱动源引脚
- 高阻断电压与低通态电阻
- 高速开关与低电容
- 快速本征二极管，具有低反向恢复电荷(Qrr)
- 无卤素，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源
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- HN-DC1216-0.45(12-1.2)MDR
- HN-DC1216-0.45(12-2.4)M
- HN-DC1216-0.45(12-2.8)
- HN-DC1216-0.45(12-2.8)M
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- HN-DC1616-0.45(13-1)
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- HN-DC1616-0.45(8.5-4.5)
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