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IPC100N04S52R8ATMA1-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:130A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与低导通损耗特点，适用于多种电源管理及功率转换场景。主要参数包括：最大漏极电流ID为130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，有效提升系统效率并减少发热。器件结构优化，具备良好的耐压能力与开关特性，适用于高密度DC-DC转换器、同步整流电路、电池管理系统以及各类中高功率电子装置的设计应用。
- 商品型号
- IPC100N04S52R8ATMA1-HXY
- 商品编号
- C48972190
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
IPC100N04S52R8ATMA1采用先进的沟槽技术,可在栅极电压低至4.5V时提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和稳定的工作性能。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V,ID = 130A
- RDS(ON) < 3.5mΩ,VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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