SCT2160KEC-HXY

SCT2160KEC-HXY

描述

本产品为N沟道增强型碳化硅场效应管（SiC MOSFET），具备1200V漏源耐压（VDSS）与17A连续漏极电流能力（ID），适用于高电压与中高功率场景。导通电阻（RDON）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料赋予器件优异的高温稳定性与快速开关特性，适合用于高频电源转换、高效能开关电路、电机驱动以及高功率密度电子设备，为高性能电力电子系统提供稳定、可靠的核心支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SCT2160KEC-HXY

商品编号

C48972192

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)