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NTMFS5832NLT1G-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:130A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的电性能表现，适用于多种高效率电源管理系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为130A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ，有助于降低功率损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于如高效同步整流、DC-DC转换器、电源开关以及各类中高功率电子设备的设计与应用。
- 商品型号
- NTMFS5832NLT1G-HXY
- 商品编号
- C48972189
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
IPC100N04S52R8ATMA1采用先进的沟槽技术，可在栅极电压低至4.5V时提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和稳定的工作性能。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40V，ID = 130A
- RDS(ON) < 3.5mΩ，VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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