IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY

N沟道 耐压:40V 电流:130A

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备较高的电流承载能力，漏极电流ID可达130A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至2.8mΩ。该器件适用于对功率传输效率和热性能有较高要求的电路设计，可应用于高效电源转换、大功率负载驱动、电池管理系统以及各类高密度电力电子设备中。其低导通电阻有助于减少能量损耗，提升整体系统稳定性与可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY

商品编号

C48972184

商品封装

DFN5x6-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.140404克(g)