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DMTH43M8LPSQ-13-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:130A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的漏极电流ID和40V的漏源击穿电压VDSS，导通电阻RDON仅为2.8mΩ，表现出优异的导电性能与较低的功率损耗。该器件适用于高效率、大电流的开关应用，如电源转换模块、电池充放电管理、高性能计算设备供电系统以及各类便携式大功率电子装置中的电力控制环节。其低导通电阻特性有助于提升能效并改善热管理表现。
- 商品型号
- DMTH43M8LPSQ-13-HXY
- 商品编号
- C48972185
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.584nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 338pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
DMTH43M8LPS-13采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 130A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 3.5mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源