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NTTFS4930NTWG-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大漏极电流ID，30V的漏源电压VDSS，以及15mΩ的导通电阻RDON。该器件适用于电源转换、电机控制、高精度开关电路及高效能直流系统设计。其低导通电阻有效减少功率损耗，提升整体效率；同时具备良好的高频响应和稳定的工作性能，适合用于对空间与能效有要求的电子装置中。
- 商品型号
- NTTFS4930NTWG-HXY
- 商品编号
- C48972178
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
应用领域
- 反接电池保护-负载开关-电源管理-电机控制