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RFD16N06LESM9A-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有20A连续漏极电流（ID）与60V漏源耐压（VDSS），导通电阻（RDON）低至27毫欧，具备优良的导电性能和较低的导通损耗。适用于各类中高功率电源系统，如开关电源、DC-DC转换模块、电池管理系统及高效能电子设备中的功率控制电路，支持快速开关操作，有助于提升整体系统效率与稳定性。
- 商品型号
- RFD16N06LESM9A-HXY
- 商品编号
- C48972181
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.355nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
RFD16N06LESM9A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V,ID = 20 A
- RDS(ON) < 32 mΩ(VGS = 10 V时)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源