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FDD5612-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDON）仅为27毫欧，展现出优异的导电性能与较低的功率损耗。器件适用于多种中高功率应用场景，如电源适配器、充电设备、直流变换器及智能家电中的开关电路设计，为系统提供高效、稳定的电流控制能力。
- 商品型号
- FDD5612-HXY
- 商品编号
- C48972180
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.378克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
FDD5612采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 20A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 32mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源