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SFR9034TM-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有60V的漏源耐压（VDSS）和15A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）低至95mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件适用于各类中功率电源转换场景，如直流电源管理、负载开关控制及适配器电路设计。其封装形式便于散热与安装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合用于通信设备、消费类电子产品及智能家电等领域的电源模块中，为电路提供高效、稳定的场控性能。
- 商品型号
- SFR9034TM-HXY
- 商品编号
- C48972170
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389899克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
IPD50N04S3-09采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 60 A
- RDS(ON) < 10 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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