SFR9034TM-HXY
P沟道增强型MOSFET
- 描述
- 本款P沟道场效应管(MOSFET)具有60V的漏源耐压(VDSS)和15A的连续漏极电流(ID)能力,导通电阻(RDON)低至95mΩ,可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件适用于各类中功率电源转换场景,如直流电源管理、负载开关控制及适配器电路设计。其封装形式便于散热与安装,具备良好的热稳定性和可靠性,适合用于通信设备、消费类电子产品及智能家电等领域的电源模块中,为电路提供高效、稳定的场控性能。
- 商品型号
- SFR9034TM-HXY
- 商品编号
- C48972170
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.389899克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
- DMN2320UFB4-7B-HXY
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- HN-DC1216-0.45(12-1.2)MDR
- HN-DC1216-0.45(12-2.4)M


