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BUK6212-40C-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有优异的性能和可靠性，适用于多种电源管理与功率控制场景。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，确保在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗。该器件结构稳定、响应速度快，适合用于高效开关电源、同步整流电路、电池保护模块及各类精密电子设备中的功率控制单元。
- 商品型号
- BUK6212-40C-HXY
- 商品编号
- C48972174
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
DMTH48M3SFVW-7采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 40 A
- 栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用