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AON7406
耐压:30V 电流:20A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为20A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至15mΩ，适合高效率功率转换应用。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。其低导通电阻有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率，同时支持高频工作，满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。
- 商品型号
- AON7406
- 商品编号
- C48972176
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.068367克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 490pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 61pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 79pF |
商品概述
NTTFS008N04CTAG采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V，漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用