AON7406

耐压:30V 电流:20A

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为20A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至15mΩ，适合高效率功率转换应用。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和快速开关特性，适用于电源管理、电池充放电控制、DC-DC转换器以及各类中高功率电子设备。其低导通电阻有效降低了导通损耗，提升了系统整体效率，同时支持高频工作，满足对空间和能效有要求的高性能电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

AON7406

商品编号

C48972176

商品封装

DFN3x3-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.068367克(g)