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IPD50N04S3-09-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导通性能。器件最大漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，可有效提升系统效率并减少功率损耗。采用成熟稳定的制造工艺，具有良好的热稳定性和耐用性，适用于各类高频开关电源、同步整流模块、电池管理系统以及消费类电子设备中的高效功率控制电路。
- 商品型号
- IPD50N04S3-09-HXY
- 商品编号
- C48972175
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
IPD50N04S3-09采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 40 V
- ID = 60 A
- RDS(ON) < 10 mΩ @ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源