DMN2320UFB4-7B-HXY

N沟道 耐压:20V 电流:700mA

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流（ID）为0.7A，漏源击穿电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDON）为220mΩ。该器件适用于各类中低功率电子设备中的开关与控制电路，如便携式电子产品、小型电源模块、LED驱动电路以及各类电池供电的智能设备。其参数设计有助于实现稳定的开关性能与较高的能效表现，适合对空间和功耗有要求的电路应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMN2320UFB4-7B-HXY

商品编号

C48972171

商品封装

DFN1006-3L​

包装方式

编带

商品毛重

0.010256克(g)