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DMN2320UFB4-7B-HXY
N沟道 耐压:20V 电流:700mA
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）主要参数如下：最大漏极电流（ID）为0.7A，漏源击穿电压（VDSS）为20V，导通电阻（RDON）为220mΩ。该器件适用于各类中低功率电子设备中的开关与控制电路，如便携式电子产品、小型电源模块、LED驱动电路以及各类电池供电的智能设备。其参数设计有助于实现稳定的开关性能与较高的能效表现，适合对空间和功耗有要求的电路应用。
- 商品型号
- DMN2320UFB4-7B-HXY
- 商品编号
- C48972171
- 商品封装
- DFN1006-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.010256克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 43.6pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6.8pF |
商品概述
DMN2320UFB4-7B采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 0.7 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 350 mΩ
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) < 420 mΩ
- 静电放电（ESD）：人体模型（HBM）2500V
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
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