温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPD50N04S410ATMA1-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:60A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能开关电源、同步整流、电池管理及负载开关等应用场景。
- 商品型号
- IPD50N04S410ATMA1-HXY
- 商品编号
- C48972173
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.377778克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
IPD50N04S410ATMA1采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护，也可用于其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 40 V，漏极电流（ID） = 60 A
- 栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 10 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- BUK6212-40C-HXY
- IPD50N04S3-09-HXY
- AON7406
- PXN017-30QLJ-HXY
- NTTFS4930NTWG-HXY
- SQD15N06-42L_GE3-HXY
- FDD5612-HXY
- RFD16N06LESM9A-HXY
- HUFA76413D3ST-HXY
- 2SK3377-ZK-E1-AY-HXY
- IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY
- DMTH43M8LPSQ-13-HXY
- IPC100N04S5-2R8-HXY
- IPC100N04S5L-2R6-HXY
- DMTH43M8LPS-13-HXY
- NTMFS5832NLT1G-HXY
- IPC100N04S52R8ATMA1-HXY