IPD50N04S410ATMA1-HXY

N沟道 耐压:40V 电流:60A

描述

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能开关电源、同步整流、电池管理及负载开关等应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD50N04S410ATMA1-HXY

商品编号

C48972173

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.377778克(g)