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IPD50N04S4-08-HXY
N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通能力和稳定性能，适用于多种中高功率电子系统。其主要参数包括：最大漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至7.7mΩ，有效降低导通损耗并提升整体效率。器件采用优化设计，具备良好的热管理特性与耐用性，适用于电源转换器、储能系统、负载开关及高性能计算设备中的功率控制单元，满足对能效和可靠性有较高要求的应用场景。
- 商品型号
- IPD50N04S4-08-HXY
- 商品编号
- C48972172
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.379克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V；10mΩ@4.5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 122pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF |
商品概述
PXN017-30QLJ采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 20A
- RDS(ON) < 20mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源
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