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IRLR9343PBF-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可适应较高功率应用场景。其导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。器件适用于各类中高功率电子设备，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统，具备良好的热稳定性和开关特性，为电路设计提供可靠支持。
- 商品型号
- IRLR9343PBF-HXY
- 商品编号
- C48972168
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
IRLR9343PBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = - 60V ID = - 10A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 140mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
- TO252-2L (DPAK)
- P沟道MOSFET
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