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IRLR9343PBF-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备15A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可适应较高功率应用场景。其导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于减少导通状态下的功率损耗，提高整体能效。器件适用于各类中高功率电子设备，如电源转换模块、电机驱动电路及电池管理系统，具备良好的热稳定性和开关特性，为电路设计提供可靠支持。
- 商品型号
- IRLR9343PBF-HXY
- 商品编号
- C48972168
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
DMTH47M2LFVW - 7采用先进的SGT MOSFET技术，提供低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专为获得更好的耐用性和适用性而设计。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V
- 漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流电源-同步整流应用
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