SFR9034TF-HXY

P沟道增强型MOSFET

描述

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有15A的额定漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率电路的设计需求。导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于降低导通损耗，提升系统效率。该器件适用于多种电源管理与开关应用，如DC-DC转换器、电机控制电路及电池供电设备中的负载开关，具备良好的热稳定性和耐久性，适合对性能与可靠性有较高要求的电子系统设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SFR9034TF-HXY

商品编号

C48972169

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.391克(g)