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SFR9034TF-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有15A的额定漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），可满足中高功率电路的设计需求。导通电阻（RDON）典型值为95毫欧，有助于降低导通损耗，提升系统效率。该器件适用于多种电源管理与开关应用，如DC-DC转换器、电机控制电路及电池供电设备中的负载开关，具备良好的热稳定性和耐久性，适合对性能与可靠性有较高要求的电子系统设计。
- 商品型号
- SFR9034TF-HXY
- 商品编号
- C48972169
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.391克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.137nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 76pF |
商品概述
SFR9034TF采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = - 60V，漏极电流（ID） = - 10A
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 140mΩ
应用领域
- 无刷电机
- 负载开关
- 不间断电源
- TO252-2L（DPAK）
- P沟道MOSFET
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