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DMTH47M2LFVW-7-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的漏极电流ID和40V的漏源电压VDSS，适用于多种中高功率电路设计。导通电阻RDON仅为6.9mΩ，有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统整体效率。器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于电源管理、DC-DC转换、电机驱动、储能设备以及其他对效率与可靠性有要求的电子电路应用场合。
- 商品型号
- DMTH47M2LFVW-7-HXY
- 商品编号
- C48972165
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
SI4435DDY-T1-E3采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -11A
- RDS(ON) < 16 mΩ@ VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET
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