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DMTH47M2LFVWQ-7-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

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描述: 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率特性，适用于多种高密度电源转换场景。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为40V，确保在中高压应用中的稳定运行；导通电阻RDON低至6.9mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于高效同步整流、直流电机控制、功率开关以及各类高要求的电源管理系统中，为电路设计提供可靠的核心支持。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
商品编号: C48972166
商品封装: DFN3x3-8L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.072克(g)

商品参数

NDS8435A采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。