温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率特性，适用于多种高密度电源转换场景。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为40V，确保在中高压应用中的稳定运行；导通电阻RDON低至6.9mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于高效同步整流、直流电机控制、功率开关以及各类高要求的电源管理系统中，为电路设计提供可靠的核心支持。
- 商品型号
- DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
- 商品编号
- C48972166
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
DMTH47M2LFVWQ - 7采用先进的SGT MOSFET技术,可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计,具备更高的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 40 V,漏极电流ID = 40 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 8.5 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
相似推荐
其他推荐
- IRLR9343TRPBF-HXY
- IRLR9343PBF-HXY
- SFR9034TF-HXY
- SFR9034TM-HXY
- DMN2320UFB4-7B-HXY
- IPD50N04S4-08-HXY
- IPD50N04S410ATMA1-HXY
- BUK6212-40C-HXY
- IPD50N04S3-09-HXY
- AON7406
- PXN017-30QLJ-HXY
- NTTFS4930NTWG-HXY
- SQD15N06-42L_GE3-HXY
- FDD5612-HXY
- RFD16N06LESM9A-HXY
- HUFA76413D3ST-HXY
- 2SK3377-ZK-E1-AY-HXY
- IAUC100N04S6N028ATMA1-HXY
- DMTH43M8LPSQ-13-HXY
- IPC100N04S5-2R8-HXY
- IPC100N04S5L-2R6-HXY