DMTH47M2LFVWQ-7-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

描述

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与高效率特性，适用于多种高密度电源转换场景。其漏极电流ID可达60A，漏源电压VDSS为40V，确保在中高压应用中的稳定运行；导通电阻RDON低至6.9mΩ，显著降低导通损耗，提高系统能效。该器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐久性，适合用于高效同步整流、直流电机控制、功率开关以及各类高要求的电源管理系统中，为电路设计提供可靠的核心支持。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH47M2LFVWQ-7-HXY

商品编号

C48972166

商品封装

DFN3x3-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.072克(g)