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SI4435DDY-T1-E3-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），支持连续漏极电流达11A（ID），导通电阻低至13毫欧（RDON），可有效减少导通损耗并提升效率。器件采用高可靠性工艺制造，具备优良的开关性能与热稳定性，适用于电源管理系统、便携式电子设备、通信模块及计算平台中的DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等应用场景。
- 商品型号
- SI4435DDY-T1-E3-HXY
- 商品编号
- C48972157
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127273克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
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