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SI4435DDY-T1-E3-HXY

P沟道增强型MOSFET

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描述: 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS），支持连续漏极电流达11A（ID），导通电阻低至13毫欧（RDON），可有效减少导通损耗并提升效率。器件采用高可靠性工艺制造，具备优良的开关性能与热稳定性，适用于电源管理系统、便携式电子设备、通信模块及计算平台中的DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护电路等应用场景。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SI4435DDY-T1-E3-HXY
商品编号: C48972157
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.127273克(g)

商品参数

DMTH48M3SFVW - 13采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件专门设计以具备更好的耐用性和适用性。