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NTTFS008N04CTAG-HXY
耐压:40V 电流:40A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备60A漏极电流能力和40V漏源耐压，适用于对效率与稳定性有较高要求的电源管理系统。导通电阻低至6.9mΩ，有助于减少能量损耗并提升整体性能。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于DC-DC转换、同步整流及电源开关等高频高效率应用场景，可满足多样化电子设备中对功率控制的需求。
- 商品型号
- NTTFS008N04CTAG-HXY
- 商品编号
- C48972162
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
BSC057N03LSG采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 50 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ，VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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