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DMTH48M3SFVW-13-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能电源管理场景，如同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用，是实现高效能电力电子设计的理想选择。
- 商品型号
- DMTH48M3SFVW-13-HXY
- 商品编号
- C48972161
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
NTA4151PT1G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -0.66A
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 560mΩ
- 在VGS = -2.5V时，RDS(ON) < 780mΩ
- 静电放电保护
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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