DMTH48M3SFVW-13-HXY

N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET

描述

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能电源管理场景，如同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用，是实现高效能电力电子设计的理想选择。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH48M3SFVW-13-HXY

商品编号

C48972161

商品封装

DFN3x3-8L​

包装方式

编带

商品毛重

0.072克(g)