温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMT4008LFV-7-HXY
N沟道屏蔽栅极型增强模式MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至6.9mΩ，可有效降低导通损耗，提高系统整体效率。该器件采用先进工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于各类高性能电源管理场景，如同步整流、DC-DC转换器以及负载开关等应用，是实现高效能电力电子设计的理想选择。
- 商品型号
- DMT4008LFV-7-HXY
- 商品编号
- C48972160
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.072449克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 39W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 690pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 输出电容(Coss) | 193pF |
商品概述
BUK6209-30C采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 50A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- DMTH48M3SFVW-13-HXY
- NTTFS008N04CTAG-HXY
- DMTH48M3SFVW-7-HXY
- DMTH48M3SFVWQ-7-HXY
- DMTH47M2LFVW-7-HXY
- DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
- IRLR9343TRPBF-HXY
- IRLR9343PBF-HXY
- SFR9034TF-HXY
- SFR9034TM-HXY
- DMN2320UFB4-7B-HXY
- IPD50N04S4-08-HXY
- IPD50N04S410ATMA1-HXY
- BUK6212-40C-HXY
- IPD50N04S3-09-HXY
- AON7406
- PXN017-30QLJ-HXY
- NTTFS4930NTWG-HXY
- SQD15N06-42L_GE3-HXY
- FDD5612-HXY
- RFD16N06LESM9A-HXY