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CMUDM8005-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）主要参数为：漏极电流ID为0.66A，漏源击穿电压VDSS为20V，导通电阻RDON为260mΩ。该器件适用于低功耗电源管理及信号切换应用，具有良好的开关特性和稳定的电气性能。适合用于小型电子设备、逻辑控制电路以及电池供电系统中的开关控制，有助于提升电路的响应速度与能效表现。
- 商品型号
- CMUDM8005-HXY
- 商品编号
- C48972156
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.021克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 660mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 560mΩ@4.5V；780mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 115pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品概述
CMUDM8005采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 静电放电等级:1500V人体模型(HBM)
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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