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BSC057N03LSG-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 本款N沟道增强型场效应管（MOSFET）具备优异的电性能与可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其额定漏极电流ID为50A，漏源耐压VDSS达30V，满足较高功率需求；导通电阻RDON低至6.5mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。器件采用成熟工艺制造，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于同步整流、DC-DC变换、储能系统及高性能计算设备中的电源模块设计，是实现高效能电力转换的理想选择。
- 商品型号
- BSC057N03LSG-HXY
- 商品编号
- C48972153
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
BSC057N03LSG采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 50 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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