温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSZ120P03NS3GATMA1-HXY
P沟道增强型MOSFET
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 本产品为P沟道场效应管（MOSFET），具有30V漏源击穿电压（VDSS）和35A额定漏极电流（ID），适用于中高功率电源管理应用。导通状态下，其典型导通电阻（RDON）为13mΩ，能够在保证性能的同时有效控制导通损耗。该器件采用稳定可靠的制造工艺，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于各类电源转换装置、负载开关电路及电池供电系统中的功率控制与调节应用。
- 商品型号
- BSZ120P03NS3GATMA1-HXY
- 商品编号
- C48972154
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.071429克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 183pF |
商品概述
BSZ120P03NS3GATMA1采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合大电流负载应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关-液晶显示器的DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐
- NTA4151PT1G-HXY
- CMUDM8005-HXY
- SI4435DDY-T1-E3-HXY
- BSO200P03S-HXY
- NDS8435A-HXY
- DMT4008LFV-7-HXY
- DMTH48M3SFVW-13-HXY
- NTTFS008N04CTAG-HXY
- DMTH48M3SFVW-7-HXY
- DMTH48M3SFVWQ-7-HXY
- DMTH47M2LFVW-7-HXY
- DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
- IRLR9343TRPBF-HXY
- IRLR9343PBF-HXY
- SFR9034TF-HXY
- SFR9034TM-HXY
- DMN2320UFB4-7B-HXY
- IPD50N04S4-08-HXY
- IPD50N04S410ATMA1-HXY
- BUK6212-40C-HXY
- IPD50N04S3-09-HXY