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CSD17552Q5A-HXY
N沟道 耐压:30V 电流:60A
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- 描述
- 本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），适用于高效率、高密度电源转换系统。其主要参数包括：漏极电流ID为50A，漏源击穿电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至6.5mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于同步整流、DC-DC转换器、负载开关及电池管理系统中。封装设计便于散热与集成，满足高性能电力电子电路的设计需求。
- 商品型号
- CSD17552Q5A-HXY
- 商品编号
- C48972152
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.844nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 183pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
商品概述
CSD17552Q5A采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V,ID = 50 A
- RDS(ON) < 8.5 mΩ,VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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