温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SM6362D1RL-HXY
耐压:30V 电流:60A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 本款N沟道场效应管（MOSFET）具备良好的电性能与稳定性，持续漏极电流ID为50A，漏源电压VDSS达30V，适用于多种中高功率电源管理应用。导通电阻RDON为6.5mΩ，有助于减少导通损耗，提升系统整体效率。器件采用成熟封装工艺，具备优良的散热能力与可靠性，适合用于各类电源转换电路、负载开关及高效能电子设备中，实现稳定的开关控制与能量传输。
- 商品型号
- SM6362D1RL-HXY
- 商品编号
- C48972151
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.317nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 131pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 163pF |
商品概述
SM6362D1RL采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V \quad ID = 50 A
- RDS(ON) < 8.5 m Ω VGS = 10 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
相似推荐
其他推荐
- CSD17552Q5A-HXY
- BSC057N03LSG-HXY
- BSZ120P03NS3GATMA1-HXY
- NTA4151PT1G-HXY
- CMUDM8005-HXY
- SI4435DDY-T1-E3-HXY
- BSO200P03S-HXY
- NDS8435A-HXY
- DMT4008LFV-7-HXY
- DMTH48M3SFVW-13-HXY
- NTTFS008N04CTAG-HXY
- DMTH48M3SFVW-7-HXY
- DMTH48M3SFVWQ-7-HXY
- DMTH47M2LFVW-7-HXY
- DMTH47M2LFVWQ-7-HXY
- IRLR9343TRPBF-HXY
- IRLR9343PBF-HXY
- SFR9034TF-HXY
- SFR9034TM-HXY
- DMN2320UFB4-7B-HXY
- IPD50N04S4-08-HXY