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DMP2070U-7-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具备20V漏源电压（VDSS）和5A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDON）仅为35毫欧，适用于多种功率控制电路。器件采用成熟工艺制造，具备良好的开关特性和热稳定性，适合应用于电源管理模块、便携式电子设备、电池供电系统以及小型家用电器等场景。其低导通电阻有效减少能量损耗，提升整体电路效率，满足多样化设计需求。
- 商品型号
- DMP2070U-7-HXY
- 商品编号
- C48972150
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.2nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
DMP2070U - 7采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20 V，漏极电流（ID） = -5 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 45 mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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