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SI3415-HXY
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 本款P沟道场效应管（MOSFET）具有20V的漏源耐压（VDSS），可承受连续漏极电流（ID）达5A，导通电阻（RDON）低至35毫欧，适用于需要高效功率控制的场景。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和开关性能，适合用于电源管理、负载开关、电池供电设备及小型电器等领域的电路设计。其低导通电阻有效降低功率损耗，提升系统整体效率。
- 商品型号
- SI3415-HXY
- 商品编号
- C48972149
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
XP262N7002TR-G采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60 V，ID = 0.3 A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 2 Ω
- 静电放电评级：人体模型（HBM）≥ 2000 V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- SOT-23封装
- N沟道MOSFET
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